半导体器件用光掩模
二元掩模 （Binary Photomasks）
二元掩模（Binary Masks）是仅通过单纯的遮光膜图案形成的掩模。作为仅具有单纯地透过／遮掩光线功能的掩模，主要用于形成粗细超过曝光波长的图案。
另外我们知道，对于比前端半间距32nm更细的油浸曝光，与半色调移相掩模相比，二元掩模具备优势。凸版印刷与底板供货厂商开展合作，可以开发加工性更高的新型二元底板（OMOG：Opaque MoSi on Glass），制造尺寸精度及分辨率高的二元掩模。
移相掩模（Phase-Shifting Photomask）
移相掩模（Phase-Shifting Mask：PSM）指通过控制光的相位及透过率，改善对晶圆曝光时的分辨率及焦点深度（DOF：Depth of Focus），是提高了复刻特性的光掩模。对于曝光波长以下的光刻是标准使用的技术。
典型的移相掩模包括“半色调型（Attenuated PSM）”及“列文森型（Alternative PSM）”等。
半色调型移相掩模（Half-tone Phase-Shifting Photomask）
通过移相效果提高对比度
半色调掩模（Half-tone Mask）是采用具备180度相位差的不透明遮光膜的光掩模。
光在透过物质时传播速度降低，相位随之变化。利用这种特性，将半透明的遮光膜贴在光掩模上，可以局部改变图案部分的相位。这种半透明薄膜称为“移相器”。
移相法指在形成了应复刻图案的光掩模上设置使光的相位变化的部分（移相器），是利用通过移相器发生相位变化的光、与未通过移相器相位未发生变化的光之间的干涉现象提高分辨率的方法。
EUV（Extreme Ultra Violet）掩模
EUV掩模（EUV mask）是作为最可期待的新一代光刻技术而开发的技术。采用比以往的DUV光（ArF：193nm）更短波长的EUV光（13.56nm），可实现更加精细图案的曝光。
然而与采用以往的DUV光的技术不同，由于EUV无法实现利用光通过玻璃透镜的折射现象聚光，因此晶圆曝光机和掩模全部为反射光学系。
凸版印刷建造了试生产线，为了奠定未来的量产技术开展基础评价。
新闻发布
硅模板掩模 （Silicon stencil mask）
硅模板掩模（Silicon stencil mask）是为了形成图案而加工了纳米级贯通开口的电子束光刻（EB光刻：Electron Beam Lithography）用光掩模。
EB光刻技术作为取代以往光刻工艺的技术，在半导体行业开展研究。
凸版印刷将微细加工技术作为核心技术推进模板掩模的开发，创建供货体制。
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【电子束复刻机与模板掩模】
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局部放大图
