半導體器件用光掩模
二元掩模（Binary Photomasks）
二元掩模（Binary Masks）是僅透過單純的遮光膜圖案形成的掩模。作為僅具有單純地透過／遮掩光線功能的掩模，主要用於形成粗細超過曝光波長的圖案。
另外我們知道，對於比前端半間距32nm更細的油浸曝光，與半色調移相掩模相比，二元掩模具備優勢。凸版印刷與底板供貨廠商開展合作，可以開發加工性更高的新型二元底板（OMOG：Opaque MoSi on Glass），製造尺寸精度及分辨率高的二元掩模。
移相掩模（Phase-Shifting Photomask）
移相掩模（Phase-Shifting Mask：PSM）指透過控制光的相位及透過率，改善對晶圓曝光時的分辨率及焦點深度（DOF：Depth of Focus），是提高了復刻特性的光掩模。對於曝光波長以下的光刻是標準使用的技術。 典型的移相掩模包括「半色調型（Attenuated PSM）」及「列文森型（Alternative PSM）」等。
半色調型移相掩模（Half-tone Phase-Shifting Photomask）
半色調掩模（Half-tone Mask）是採用具備180度相位差的不透明遮光膜的光掩模。
光在透過物質時傳播速度降低，相位隨之變化。利用這種特性，將半透明的遮光膜貼在光掩模上，可以局部改變圖案部分的相位。這種半透明薄膜稱為「移相器」。
移相法指在形成了應復刻圖案的光掩模上設置使光的相位變化的部分（移相器），是利用透過移相器發生相位變化的光、與未透過移相器相位未發生變化的光之間的干涉現象提高分辨率的方法。
EUV（Extreme Ultra Violet）掩模
EUV掩模（EUV mask）是作為最可期待的新一代光刻技術而開發的技術。採用比以往的DUV光（ArF：193nm）更短波長的EUV光（13.56nm），可實現更加精細圖案的曝光。
然而與採用以往的DUV光的技術不同，由於EUV無法實現利用光透過玻璃透鏡的折射現象聚光，因此晶圓曝光機和掩模全部為反射光學系。
凸版印刷建造了試生產線，為了奠定未來的量產技術開展基礎評價。
新聞發佈
硅模板掩模（Silicon stencil mask）
硅模板掩模（Silicon stencil mask）是為了形成圖案而加工了納米級貫通開口的電子束光刻（EB光刻：Electron Beam Lithography）用光掩模。
EB光刻技術作為取代以往光刻工藝的技術，在半導體行業開展研究。
凸版印刷將微細加工技術作為核心技術推進模板掩模的開發，創建供貨體制。
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【電子束復刻機與模板掩模】
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局部放大圖
